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Samsung MZ-V9E2T0BW - SSD M.2 (2280) 2TB 990 EVO (PCIE 4.0 COMPATIBLE PCIE 5.0 /NVME ) UP TO 5000

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SSD M.2 (2280) 2TB SAMSUNG 990 EVO (PCIE 4.0 COMPATIBLE PCIE 5.0 /NVME ) UP TO 5000 MZ-V9E2T0BW

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SAMSUNG SSD M.2 (2280) 2TB SAMSUNG 990 EVO (PCIE 4.0 COMPATIBLE PCIE 5.0 /NVME ) UP TO 5000. (MZ-V9E2T0BW )

Disponibilité : En Stock
Evaluation :
  • SSD M.2 (2280) 2TB SAMSUNG 990 EVO (PCIE 4.0 COMPATIBLE PCIE 5.0 /NVME ) UP TO 5000 MZ-V9E2T0BW

Caractéristiques Techniques



Type de périphérique Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité 2 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND3 bits par cellule (TLC)
Format M.2 2280
Interface PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, Cache LPDDR4 DRAM 2 Go, S.M.A.R.T.
Largeur 22 mm
Profondeur 80 mm
Hauteur 2.38 mm
Poids 9 g
Performances
Débit de transfert interne 5000 Mo/s (lecture) / 4200 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko22000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko90000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 800000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko 700000 IOPS
Expansion et connectivité
Baie compatible M.2 2280
Alimentation
Consommation électrique 5.4 Watt (lecture) ? 4.7 Watt (écriture)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclus Samsung Magician Software
Divers
Normes de conformité IEEE 1667
Détails du paquet Boîte
Caractéristiques d'environnement
Température minimale de fonctionnement 0 °C
Température maximale de fonctionnement 70 °C
Résistance aux chocs (au repos)1500 g @ 0,5 ms
Moyenne des revuesAverage Rating 3
Notification de baisse de prix


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