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Accueil » Informatique » Périphériques » Disque Dur Interne » Disque Dur SSD M.2 (2280) 1TB SAMSUNG 990 PRO (PCIE/NVME) UP TO 7450
Samsung

Samsung MZ-V9P1T0BW - Disque Dur SSD M.2 (2280) 1TB SAMSUNG 990 PRO (PCIE/NVME) UP TO 7450

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-18%
SSD M.2 (2280) 1TB SAMSUNG 990 PRO (PCIE/NVME) UP TO 7450 MZ-V9P1T0BW

Prix Normal : 1 908,00 Dh TTC

Prix :1 680,00 Dh TTC

Prix Promo : 1 559,40 Dh TTC

Hors Taxe : 1 299,50 Dh HT

Economie : 58,10 Dh - 18%

Disque Dur SSD M.2 (2280) 1TB SAMSUNG 990 PRO (PCIE/NVME) UP TO 7450. 960 Go 2.5" SAS Vitesse de lecture: 4200 Mo/s 600000 IOPS Vitesse d'écriture: 1200 Mo/s 55000 IOPS V-NAND composant pour: Serveur/Station de travail (MZ-V9P1T0BW)

Disponibilité : En Stock
Evaluation :
  • SSD M.2 (2280) 1TB SAMSUNG 990 PRO (PCIE/NVME) UP TO 7450 MZ-V9P1T0BW
Description du Produit

Performances ultra-rapides 

Grâce à l'interface PCIe 4.0 , ce SSD offre des vitesses de lecture et d'écriture exceptionnelles (jusqu'à 7 450 Mo/s en lecture et 6 900 Mo/s en écriture ), ce qui améliore considérablement le temps de chargement des applications et des jeux.

Efficacité énergétique optimisée 

Le Samsung SSD 990 PRO est conçu pour consommer moins d'énergie tout en maintenant des performances élevées, ce qui est idéal pour les ordinateurs portables et les configurations à faible consommation.

Fiabilité et durabilité s'accumule 

Avec une mémoire NAND de qualité et une endurance élevée ( jusqu'à 600 TBW pour la version 1 To ), ce SSD garantit une longue durée de vie et une protection avancée des données.

Compatibilité et facilité d'installation 

Son format M.2 2280 et sa compatibilité avec PCIe 4.0 en font une excellente option pour les PC de bureau, les ordinateurs portables de jeu et les stations de travail, offrant une mise à niveau facile sans encombrement.


Caractéristiques Techniques



Utilisation

PC et consoles de jeux

Capacité

1 000 Go (1Go= 1 Milliard d'octets par IDEMA)*

Forme

M.2 (2280)

Interface

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

Dimensions du produit

80 x 22 x 2.3 mm

Poids

Max 9.0g

Mémoire de stockage

Samsung V-NAND TLC

Contrôleur

Contrôleur made in Samsung

Mémoire cache

Samsung 1Go Low Power DDR4 SDRAM

Caractéristiques spécifiques
Support TRIM

Pris en charge

Support S.M.A.R.T

Pris en charge

Ramasse-miettes

Algorithme de récupération des données automatique

Système de cryptage

AAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)ES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)

Support WWN

Non pris en charge

Mode veille

Oui

Performances
Lecture séquentielle

Jusqu'à 7 450 Mo/s *

Écriture séquentielle

Jusqu'à 6 900 Mo/s

Lecture aléatoire (4KB, QD32)

Jusqu'à 1 400 000 IOPS *

Écriture aléatoire (4KB, QD32)

Jusqu'à 1 550 000 IOPS *

Lecture aléatoire (4KB, QD1)

Jusqu'à 22 000 IOPS *

Écriture aléatoire (4KB, QD1)

Jusqu'à 80 000 IOPS *

Environnement
Consommation moyenne

5,5 W. Maximum 7,8 W *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

Consommation en mode veille

Max. 50 mW *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

Voltage

3.3 V ± 5 % Voltage autorisé

Fiabilité (MTBF)

Fiabilité de 1,5 Millions d'heures

Température hors fonctionnement

0 - 70 ℃

Chocs

1 500 G & 0,5 ms (Semi-sinusoïdal)
Moyenne des revuesAverage Rating 3
Notification de baisse de prix


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